规格书 |
MJD148T4(G), NJVMJD148T4G |
文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 500mV @ 200mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 85 @ 500mA, 1V |
功率 - 最大 | 1.75W |
频率转换 | 3MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3DPAK |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 45 V |
集电极最大直流电流 | 4 A |
最小直流电流增益 | 40@10mA@5V|85@0.5A@1V|50@2A@1V|30@3A@1V |
最大工作频率 | 3(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@0.2A@2A V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1750 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Cut Tape |
标准包装 | Tape & Reel |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
RoHS | RoHS Compliant |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
集电极 - 基极电压VCBO | 45 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 45 V |
增益带宽产品fT | 3 MHz |
直流集电极/增益hfe最小值 | 40 at 10 mA at 5 V |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | TO-252-3 (DPAK) |
连续集电极电流 | 4 A |
最低工作温度 | - 55 C |
封装 | Reel |
工厂包装数量 | 2500 |
集电极最大直流电流 | 4 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | DPAK |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 1750 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 3(Min) |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 45 |
供应商封装形式 | DPAK |
最大集电极发射极电压 | 45 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 3MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 200mA, 2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 45V |
供应商设备封装 | DPAK-3 |
功率 - 最大 | 1.75W |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 85 @ 500mA, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | MJD148T4GOSCT |
品牌 | ON Semiconductor |
长度 | 6.73 mm |
系列 | MJD148 |
身高 | 2.38 mm |
Pd - Power Dissipation | 20 W |
associated | 80-4-5 |
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